收藏本站
BSS84W
250
-600
T A = 25 ° C
200
-500
V GS = -5V
-4.5V
-400
150
-300
-3.5V
100
50
-200
-100
-3.0V
-2.5V
0
0
25
50 75
100 125
150 175
200
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
-1.0
-0.8
T A = -55 ° C
-0.6
T A = 25 ° C
V DS , DRAIN SOURCE (V)
Fig. 2 Drain Source Current vs.Drain Source Voltage
10
9
8
7
6
5
-0.4
-0.2
T A = 125 ° C
4
3
2
1
T A = 125 ° C
-0.0
0
-1
-2 -3
-4
-5
-6 -7 -8
0
0
-1
-2
T A = 25 ° C
-3
-4 -5
15
12
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Drain Current vs. Gate Source Voltage
V GS = -10V
I D = -0.13A
25.0
20.0
V GS , GATE-SOURCE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V GS = -3.5V
V GS = -3V
9
15.0
V GS = -4.5V
V GS = -5V
6
3
10.0
5.0
V GS = -4V
V GS = -6V
V GS = -8V
V GS = -10V
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6 -0.8
1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 On-Resistance vs. Drain-Current
BSS84W
Document number: DS30205 Rev. 15 - 2
3 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
BVSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
BXC-10546 ASSY INPUT FOR BXA-12563
BXC-10549 ASSEMBLY INPUT CONNECTOR
BXC-10550 ASSEMBLY CONN INP FOR BXA-12549
BXC-10566 ASSEMBLY OUTPT-CONN
BXC-10567 ASSY OUTPUT FOR BXA-12563
BXC-10569 ASSEMBLY OUTPT-CONN FOR BXA12579
相关代理商/技术参数
BSS84W-7-F 功能描述:MOSFET -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS84WQ-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1
BSS84WT/R13 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84WT/R7 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84WT1 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:Small Signal MOSFET 115 mA, 60 V
BSS84Z 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84ZG-AE2-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84ZL-AE2-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:0.13A, 50V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR